מספר מוצר של יצרן:
IRF6621TR1PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6621TR1PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
מלאי:
12805134
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6621TR1PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta), 55A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.25V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1460 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ SQ
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric SQ
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF6621TR1PBFCT
IRF6621TR1PBFTR
IRF6621TR1PBFDKR
SP001524672
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD25N06S240ATMA2
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
IPU60R2K1CEAKMA1
CONSUMER
IRFH7182TRPBF
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
