IRF6620TRPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF6620TRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6620TRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

מלאי:

1487 יחידות חדשות מק originales במלאי

12806320

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6620TRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

Cut Tape (CT)

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

27A (Ta), 150A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.7mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.45V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

42 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4130 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MX

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MX

מספר מוצר בסיסי

IRF6620

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRF6620TRPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

2166-IRF6620TRPBF-448

SP001524564

IRF6620TRPBFTR

IRF6620TRPBFCT

IRF6620TRPBFDKR

חבילה סטנדרטית

4,800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRF7606TR

MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8

infineon-technologies

IRLR3714PBF

MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

IRF7426TR

MOSFET N-CH 20V 8SO

infineon-technologies

IPP60R099CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3