IRF6618

מספר מוצר של יצרן:

IRF6618

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6618-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12822336

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6618 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

30A (Ta), 170A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.35V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

65 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

5640 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MT

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MT

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRF6618

SP001523888

IRF6618CT

IRF6618TR

חבילה סטנדרטית

4,800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

3 (168 Hours)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRFIZ24EPBF

MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP

nxp-semiconductors

IRF530N,127

MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

nxp-semiconductors

PMPB20UN,115

MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN

IRF7463TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO