מספר מוצר של יצרן:
IRF6617TR1PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6617TR1PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
מלאי:
12822911
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6617TR1PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Ta), 55A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.35V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ ST
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric ST
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001528846
IRF6617TR1PBFCT
IRF6617TR1PBFTR
IRF6617TR1PBFDKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFT400N075T2
MOSFET N-CH 75V 400A TO268
IRFR3710ZTR
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPS031N03LGAKMA1
LV POWER MOS
