מספר מוצר של יצרן:
IRF6604TR1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6604TR1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
מלאי:
12804023
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6604TR1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta), 49A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5mOhm @ 12A, 7V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2270 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ MQ
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MQ
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001525412
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
IRF6603
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
