IRF6603TR1

מספר מוצר של יצרן:

IRF6603TR1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6603TR1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12805191

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6603TR1 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

27A (Ta), 92A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

72 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

+20V, -12V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

6590 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ MT

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MT

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

SP001531594

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

3 (168 Hours)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IPB65R125C7ATMA2

MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3

infineon-technologies

SPW12N50C3FKSA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3

infineon-technologies

IRLU3114ZPBF

MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK

infineon-technologies

IRFH7923TRPBF

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56