מספר מוצר של יצרן:
IRF60DM206ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF60DM206ATMA1-DG
תיאור:
FET N-CHANNEL
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
מלאי:
13268344
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF60DM206ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
DirectFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
130A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6530 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DirectFET™ Isometric ME
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric ME
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IRF60DM206ATMA1TR
448-IRF60DM206ATMA1DKR
448-IRF60DM206ATMA1CT
SP005573710
חבילה סטנדרטית
4,800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA1N100-TRL
MOSFET N-CH TO263
IXTA1970-TRL
MOSFET N-CH TO263
IXFH50N80XA
MOSFET N-CH 50A TO247