IRF5803

מספר מוצר של יצרן:

IRF5803

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF5803-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6

תיאור מפורט:

P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12807095

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF5803 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

3.4A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

112mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

37 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1110 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2W (Ta)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

Micro6™(TSOP-6)

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

100

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRF5803TRPBF

יצרן

Infineon Technologies

כמות זמינה

52523

DiGi מספר חלק

IRF5803TRPBF-DG

מחיר ליחידה

0.16

סוג משאב

MFR Recommended

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IRF8308MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

infineon-technologies

SPA08N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP

infineon-technologies

IRLL024ZTRPBF

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

infineon-technologies

IRL1104

MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB