IRF5802TR

מספר מוצר של יצרן:

IRF5802TR

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF5802TR-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP

תיאור מפורט:

N-Channel 150 V 900mA (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12805179

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF5802TR מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

150 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

900mA (Ta)

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.2Ohm @ 540mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

5.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

6.8 nC @ 10 V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

88 pF @ 25 V

תכונת FET

-

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

Micro6™(TSOP-6)

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF5802TRTR

SP001571264

IRF5802TRDKR

*IRF5802TR

IRF5802CT

IRF5802TR-DG

IRF5802TRCT

IRF5802CT-DG

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRF5802TRPBF

יצרן

Infineon Technologies

כמות זמינה

8278

DiGi מספר חלק

IRF5802TRPBF-DG

מחיר ליחידה

0.17

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IPB65R310CFDAATMA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK

infineon-technologies

IRF6635TRPBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR1205TRL

MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

infineon-technologies

IRF6637TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET