מספר מוצר של יצרן:
IRF40H210
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF40H210-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
12805895
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF40H210 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®, StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
152 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5406 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
IRF40H210
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF40H210TR
IRF40H210DKR
SP001571340
IRF40H210CT
IRF40H210-DG
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS33N15DTRLP
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
SPD11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3
IPD50N06S214ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
