IRF3709STRLPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRF3709STRLPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF3709STRLPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK

מלאי:

13064105
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF3709STRLPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2672 pF @ 16 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001559576
חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
PSMN4R3-30BL,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
9945
DiGi מספר חלק
PSMN4R3-30BL,118-DG
מחיר ליחידה
0.58
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PSMN017-30BL,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
1868
DiGi מספר חלק
PSMN017-30BL,118-DG
מחיר ליחידה
0.37
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRF2204LPBF

MOSFET N-CH 40V 170A TO262

infineon-technologies

IRF7205TRPBF

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

infineon-technologies

IRF7807VD1TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

infineon-technologies

IRFI4229PBF

MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB