מספר מוצר של יצרן:
IRF150P221AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF150P221AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
525 יחידות חדשות מק originales במלאי
12949169
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF150P221AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
186A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.6V @ 264µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6000 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005537806
448-IRF150P221AKMA1
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MCU45P03A-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK
MCAC68N03Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
MCU12P10A-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK