מספר מוצר של יצרן:
IRF1405ZSTRL7PP
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF1405ZSTRL7PP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12805552
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF1405ZSTRL7PP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.9mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
230 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5360 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
230W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF1405ZSTRL7PPDKR
IRF1405ZSTRL7PPTR
SP001571192
IRF1405ZSTRL7PPCT
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD40N03S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
IRFZ44NLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO262
IPD60R600C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3