מספר מוצר של יצרן:
IRF1404LPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF1404LPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 162A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
6152 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804659
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF1404LPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
162A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7360 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRF1404
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRF1404LPBF-448
*IRF1404LPBF
SP001576598
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
IRF6722MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO262
