מספר מוצר של יצרן:
IRF1310NPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF1310NPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
747 יחידות חדשות מק originales במלאי
12806332
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF1310NPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
42A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
36mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF1310
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF1310NPBF
SP001553864
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7526D1PBF
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
IRLR3705ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IPP65R190CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
