מספר מוצר של יצרן:
IRF100P219AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF100P219AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
383 יחידות חדשות מק originales במלאי
12989793
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF100P219AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
203A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 278µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
210 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12020 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005537805
448-IRF100P219AKMA1
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
TPW5200FNH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
