מספר מוצר של יצרן:
IQE065N10NM5SCATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IQE065N10NM5SCATMA1-DG
תיאור:
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-WHSON-8-1
מלאי:
13001668
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IQE065N10NM5SCATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Ta), 85A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 48µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3000 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-WHSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005559080
448-IQE065N10NM5SCATMA1TR
448-IQE065N10NM5SCATMA1DKR
448-IQE065N10NM5SCATMA1CT
חבילה סטנדרטית
6,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP3096LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NVBLS0D5N04CTXGAW
MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
NTBL045N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
