IQE013N04LM6ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IQE013N04LM6ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IQE013N04LM6ATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4

מלאי:

13079 יחידות חדשות מק originales במלאי
12954679
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IQE013N04LM6ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 51µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3900 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSON-8-4
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IQE013

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IQE013N04LM6ATMA1CT
448-IQE013N04LM6ATMA1TR
448-IQE013N04LM6ATMA1DKR
SP005340902
2156-IQE013N04LM6ATMA1-448
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K361TU,LXHF

AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323

vishay-siliconix

SI7483ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFP9240PBF

MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

vishay-siliconix

IRFZ48RPBF

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB