מספר מוצר של יצרן:
IQDH35N03LM5CGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IQDH35N03LM5CGATMA1-DG
תיאור:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
מלאי:
4968 יחידות חדשות מק originales במלאי
12943340
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IQDH35N03LM5CGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
66A (Ta), 700A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
0.35mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1.46mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
197 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
18000 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TTFN-9-U02
חבילה / מארז
9-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IQDH35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR
448-IQDH35N03LM5CGATMA1DKR
448-IQDH35N03LM5CGATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IQD009N06NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQD005N04NM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQD016N08NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
