מספר מוצר של יצרן:
IPZ65R095C7
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPZ65R095C7-DG
תיאור:
IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
מלאי:
12946860
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPZ65R095C7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 590µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2140 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
128W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-4-1
חבילה / מארז
TO-247-4
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPZ65R095C7
INFINFIPZ65R095C7
חבילה סטנדרטית
73
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF5N50UT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRFZ44ZLPBF
IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
FQU9N25TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
