מספר מוצר של יצרן:
IPZ60R017C7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPZ60R017C7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
מלאי:
257 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804554
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPZ60R017C7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
109A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 2.91mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
240 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9890 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
446W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
IPZ60R017
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPZ60R017C7XKSA1
SP001369912
INFINFIPZ60R017C7XKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7321D2TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
IRF7832PBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
IPI60R199CPXKSA2
HIGH POWER_LEGACY
