מספר מוצר של יצרן:
IPWS65R050CFD7AXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
81 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945084
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPWS65R050CFD7AXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
*
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.24mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
102 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4975 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPWS65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPWS65R050CFD7AXKSA1
SP005405805
2156-IPWS65R050CFD7AXKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPWS65R035CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
IPW65R115CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
AONS36303
MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN
