מספר מוצר של יצרן:
IPW90R120C3XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW90R120C3XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
מלאי:
36 יחידות חדשות מק originales במלאי
13064092
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW90R120C3XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 2.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
270 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6800 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
417W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-21
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW90R120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP002548896
IPW90R120C3XKSA1-ND
448-IPW90R120C3XKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF5305L
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
IRF7459PBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRF3205ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
