מספר מוצר של יצרן:
IPW65R280E6FKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R280E6FKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
מלאי:
12803719
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R280E6FKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 440µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
950 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-1
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPW65R280E6
SP000795272
IPW65R280E6-DG
2156-IPW65R280E6FKSA1-IT
ROCINFIPW65R280E6FKSA1
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP26N60LPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1789
DiGi מספר חלק
IRFP26N60LPBF-DG
מחיר ליחידה
5.02
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTH30N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
648
DiGi מספר חלק
IXTH30N60P-DG
מחיר ליחידה
5.55
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFH30N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH30N60P-DG
מחיר ליחידה
5.65
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF1010EZSPBF
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
IRFR5410TR
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
IPB100N06S205ATMA4
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3