מספר מוצר של יצרן:
IPW65R150CFDAFKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R150CFDAFKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
220 יחידות חדשות מק originales במלאי
12806740
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R150CFDAFKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 900µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
86 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2340 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
195.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R150
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000928274
2156-IPW65R150CFDAFKSA1
ROCINFIPW65R150CFDAFKSA1
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW31N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
6
DiGi מספר חלק
STW31N65M5-DG
מחיר ליחידה
2.20
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFC2604B
MOSFET
SPP15P10PGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
IRLS4030TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK