מספר מוצר של יצרן:
IPW65R075CFD7AXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R075CFD7AXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
240 יחידות חדשות מק originales במלאי
12977037
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R075CFD7AXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
*
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
75mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 820µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3288 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
171W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R075
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPW65R075CFD7AXKSA1
2156-IPW65R075CFD7AXKSA1
SP005324280
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HAT1091C0S-EL-E
HAT1091C0S - P-CHANNEL POWER MOS
NP80N06MLG-S18-AY
NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
HAT2205C-EL-E
HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE