מספר מוצר של יצרן:
IPW65R037C6FKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R037C6FKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 83.2A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
51 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804974
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R037C6FKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
83.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
37mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 3.3mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
330 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7240 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R037
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFIPW65R037C6FKSA1
2156-IPW65R037C6FKSA1
SP000756284
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLR7821TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
IPD90N10S406ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
IPP80N06S2LH5AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
