מספר מוצר של יצרן:
IPW60R250CP
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW60R250CP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
מלאי:
12804777
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
QcDI
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW60R250CP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 440µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-1
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW60R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPW60R250CP-IT
IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
INFINFIPW60R250CP
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW18N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
154
DiGi מספר חלק
STW18N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.58
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTH20N65X
יצרן
IXYS
כמות זמינה
595
DiGi מספר חלק
IXTH20N65X-DG
מחיר ליחידה
5.92
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STW18N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
476
DiGi מספר חלק
STW18N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.26
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STW18NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
547
DiGi מספר חלק
STW18NM60N-DG
מחיר ליחידה
3.00
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRFZ46NSTRL
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
IPD60R2K0C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
