מספר מוצר של יצרן:
IPW60R190P6FKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW60R190P6FKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
164 יחידות חדשות מק originales במלאי
12807492
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW60R190P6FKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 630µ
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1750 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
151W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW60R190
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPW60R190P6
INFINFIPW60R190P6FKSA1
IPW60R190P6-DG
SP001017090
2156-IPW60R190P6FKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPP12N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3
TN5325N3-G
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
SIPC46N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
