מספר מוצר של יצרן:
IPW60R170CFD7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW60R170CFD7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
מלאי:
12802296
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW60R170CFD7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ CFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1199 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
75W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-21
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW60R170
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPW60R170CFD7XKSA1
IPW60R170CFD7
IPW60R170CFD7XKSA1-DG
SP001617988
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTH24N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
268
DiGi מספר חלק
IXTH24N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.98
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STW31N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
6
DiGi מספר חלק
STW31N65M5-DG
מחיר ליחידה
2.20
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS119 E7978
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IPA50R950CE
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP
