מספר מוצר של יצרן:
IPW60R045P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW60R045P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 61A (Tc) 201W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
1406 יחידות חדשות מק originales במלאי
13276449
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW60R045P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
61A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1.08mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
90 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3891 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
201W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW60R045
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001866186
448-IPW60R045P7XKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IAUZ18N10S5L420ATMA1
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
IPA126N10NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 100V 39A TO220
IPLK80R750P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
