מספר מוצר של יצרן:
IPU95R3K7P7AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU95R3K7P7AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
527 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803175
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU95R3K7P7AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
950 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
196 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
22W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU95R3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPU95R3K7P7AKMA1
SP001792320
IFEINFIPU95R3K7P7AKMA1
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF3315LPBF
MOSFET N-CH 150V 21A TO262
BTS244ZNKSA1
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3
IRFZ44NL
MOSFET N-CH 55V 49A TO262
