מספר מוצר של יצרן:
IPU80R2K0P7AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU80R2K0P7AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12803558
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU80R2K0P7AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
175 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
24W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU80R2
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFIPU80R2K0P7AKMA1
SP001634912
2156-IPU80R2K0P7AKMA1
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPW50R399CPFKSA1
MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
IRFR15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
IPU09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
