מספר מוצר של יצרן:
IPU80R1K4P7AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
מלאי:
6 יחידות חדשות מק originales במלאי
13064131
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU80R1K4P7AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 700µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.05 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
250 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3-21
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU80R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPU80R1K4P7AKMA1
SP001422742
2156-IPU80R1K4P7AKMA1
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB65R310CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
IRFS3107-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IRF1404STRR
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
