מספר מוצר של יצרן:
IPU80R1K2P7AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU80R1K2P7AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12823565
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU80R1K2P7AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
300 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
37W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU80R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001644614
IFEINFIPU80R1K2P7AKMA1
2156-IPU80R1K2P7AKMA1
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STU7N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
844
DiGi מספר חלק
STU7N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD5NM60-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
77
DiGi מספר חלק
STD5NM60-1-DG
מחיר ליחידה
1.09
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STU7LN80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
STU7LN80K5-DG
מחיר ליחידה
0.82
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF3709ZS
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
IRF3711S
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IRF7452TR
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
