IPU60R1K0CEBKMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPU60R1K0CEBKMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPU60R1K0CEBKMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251

מלאי:

12804325
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPU60R1K0CEBKMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 130µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
280 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
37W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU60R

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-IPU60R1K0CEBKMA1-IT
ROCINFIPU60R1K0CEBKMA1
SP001276056
חבילה סטנדרטית
500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPB77N06S3-09

MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

infineon-technologies

IPD640N06LGBTMA1

MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

infineon-technologies

IPI100N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3

infineon-technologies

IRFR220NPBF

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK