IPT60R102G7XTMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPT60R102G7XTMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPT60R102G7XTMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

מלאי:

585 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804697
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPT60R102G7XTMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ G7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 390µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1320 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
141W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-2
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מספר מוצר בסיסי
IPT60R102

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-IPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1DKR
IPT60R102G7XTMA1CT
INFINFIPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1TR
SP001579318
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRFR24N15DTRPBF

MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

infineon-technologies

IPC90R800C3X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IPDD60R150G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10

infineon-technologies

IPP65R310CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3