מספר מוצר של יצרן:
IPT029N08N5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPT029N08N5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
מלאי:
12803084
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPT029N08N5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
52A (Ta), 169A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 108µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
87 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6500 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
168W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מספר מוצר בסיסי
IPT029
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001581494
IPT029N08N5ATMA1DKR
INFINFIPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1CT
IPT029N08N5ATMA1-DG
IPT029N08N5ATMA1TR
2156-IPT029N08N5ATMA1
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IRF7469TRPBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
IPI120N04S302AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
