מספר מוצר של יצרן:
IPT015N10N5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPT015N10N5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
מלאי:
7454 יחידות חדשות מק originales במלאי
12802833
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPT015N10N5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
300A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
211 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
16000 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מספר מוצר בסיסי
IPT015
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPT015N10N5ATMA1CT
IPT015N10N5ATMA1DKR
IPT015N10N5ATMA1TR
SP001227040
Q10142123
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
