מספר מוצר של יצרן:
IPT014N10N5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPT014N10N5ATMA1-DG
תיאור:
TRENCH >=100V
תיאור מפורט:
100 V 362A Surface Mount PG-HSOF-8-1
מלאי:
13002437
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPT014N10N5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
-
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
362A
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPT014N10N5ATMA1CT
SP005736726
448-IPT014N10N5ATMA1DKR
448-IPT014N10N5ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPTC007N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V
NTMFS4C922NAT3G
TRENCH 6 30V NCH
SIHG085N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
