בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
IPSA70R950CEAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPSA70R950CEAKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 8.7A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12803938
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPSA70R950CEAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
328 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
94W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3-347
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
IPSA70
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
IPSA70R950CE
גיליונות נתונים
IPSA70R950CEAKMA1
גיליון נתונים של HTML
IPSA70R950CEAKMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001605396
2156-IPSA70R950CEAKMA1
INFINFIPSA70R950CEAKMA1
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPSA70R900P7SAKMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4
DiGi מספר חלק
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TSM60NB900CH C5G
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
55
DiGi מספר חלק
TSM60NB900CH C5G-DG
מחיר ליחידה
1.45
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STU7LN80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
STU7LN80K5-DG
מחיר ליחידה
0.82
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF1010EZ
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
IRFS4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IPS65R1K4C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
IPB45N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3