מספר מוצר של יצרן:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPSA70R2K0P7SAKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 3A (Tc) 17.6W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347
מלאי:
79 יחידות חדשות מק originales במלאי
12806157
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPSA70R2K0P7SAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 30µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.8 nC @ 400 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
130 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
17.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3-347
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
IPSA70
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPSA70R2K0P7SAKMA1-DG
448-IPSA70R2K0P7SAKMA1
SP001664770
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFSL3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
IRFU2307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
IRFR3504ZTRPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK