IPS70R900P7SAKMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPS70R900P7SAKMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPS70R900P7SAKMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

מלאי:

821 יחידות חדשות מק originales במלאי
12852027
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPS70R900P7SAKMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
211 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPS70R900

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-IPS70R900P7SAKMA1
ROCINFIPS70R900P7SAKMA1
SP001499716
חבילה סטנדרטית
75

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRLML5203GTRPBF

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3

infineon-technologies

IRF9530NSTRLPBF

MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

onsemi

MCH5839-TL-H

MOSFET P-CH 20V 1.5A 5MCPH

vishay-siliconix

IRF630STRL

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK