מספר מוצר של יצרן:
IPS70R1K4P7SAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 22.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12809857
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPS70R1K4P7SAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
158 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
22.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPS70R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
SP001499706
448-IPS70R1K4P7SAKMA1
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TP2424N8-G
MOSFET P-CH 240V 316MA TO243AA
IRFHM8330TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
