מספר מוצר של יצרן:
IPS65R650CEAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPS65R650CEAKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12804222
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPS65R650CEAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 210µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
86W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPS65R650
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001422888
INFINFIPS65R650CEAKMA1
2156-IPS65R650CEAKMA1
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPS70R600P7SAKMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
177
DiGi מספר חלק
IPS70R600P7SAKMA1-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7322D1PBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IRF1010ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IPW60R018CFD7XKSA1
MOSFET N CH
