מספר מוצר של יצרן:
IPS135N03LGAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPS135N03LGAKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
מלאי:
12803268
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPS135N03LGAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1000 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3-11
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPS135N03LGIN-DG
SP000788220
SP000257455
IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGXK
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
