מספר מוצר של יצרן:
IPP80N08S406AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP80N08S406AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12803909
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP80N08S406AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80N08
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPP80N08S406AKSA1
INFINFIPP80N08S406AKSA1
SP000984298
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IAUC100N08S5N043ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
9710
DiGi מספר חלק
IAUC100N08S5N043ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.78
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SUP70060E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SUP70060E-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP180N10T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFP180N10T2-DG
מחיר ליחידה
3.00
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD70N12S3L12ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPB80N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF6678TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
