מספר מוצר של יצרן:
IPP80N06S2L11AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP80N06S2L11AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12805057
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP80N06S2L11AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 93µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2075 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
158W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPP80N06S2L-11-DG
SP000218175
IPP80N06S2L-11
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP90N055T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP90N055T2-DG
מחיר ליחידה
1.06
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRFR3709ZTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
IPP041N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
