מספר מוצר של יצרן:
IPP80N06S2H5AKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP80N06S2H5AKSA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12805928
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP80N06S2H5AKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 230µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
155 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFIPP80N06S2H5AKSA2
2156-IPP80N06S2H5AKSA2
SP001063646
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD18533KCS
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
1016
DiGi מספר חלק
CSD18533KCS-DG
מחיר ליחידה
0.61
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP80NF55-06
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
999
DiGi מספר חלק
STP80NF55-06-DG
מחיר ליחידה
1.54
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLR8503TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRF7805APBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IRFZ48NLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO262
