מספר מוצר של יצרן:
IPP80N06S207AKSA4
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP80N06S207AKSA4-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12823492
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP80N06S207AKSA4 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 180µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80N06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPP80N06S207AKSA4
SP001067876
INFINFIPP80N06S207AKSA4
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD18533KCS
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
1016
DiGi מספר חלק
CSD18533KCS-DG
מחיר ליחידה
0.61
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMTH6010SCT
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
DMTH6010SCT-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH14N80
MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
IXTA160N075T7
MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
MCU04N60-TP
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
